A method for determining device yield of a semiconductor device design, comprises determining statistics of at least one device parameter from at least two device layer patterns; and calculating device yield from the statistics. At least one of the device layer patterns is neither a diffusion layer pattern nor a gate poly layer pattern.

Eine Methode für die Bestimmung des Vorrichtung Ergebnisses eines Halbleiterelementdesigns, enthält die Bestimmung von von Statistiken an wenigen eine Vorrichtung Parameters von an wenigen zwei Vorrichtung Schichtmustern; und Rechnerergebnis von den Statistiken. Eins mindestens der Vorrichtung Schichtmuster ist weder ein Diffusion (Zerstäubung) Schichtmuster noch ein Gatterpolyschichtmuster.