A structure with an optically active layer embedded in a Si wafer, such that the outermost epitaxial layer exposed to the CMOS processing equipment is always Si or another CMOS-compatible material such as SiO.sub.2. Since the optoelectronic layer is completely surrounded by Si, the wafer is fully compatible with standard Si CMOS manufacturing. For wavelengths of light longer than the bandgap of Si (1.1 .mu.m), Si is completely transparent and therefore optical signals can be transmitted between the embedded optoelectronic layer and an external waveguide using either normal incidence (through the Si substrate or top Si cap layer) or in-plane incidence (edge coupling).

Структура при оптически активно слой врезанный в вафле кремния, таком что outermost эпитаксиальным слоем, котор подвергли действию к обрабатывающему оборудованию cmos будет всегда кремнием или другим материалом CMOS-compatible such as SiO.sub.2. В виду того что optoelectronic слой вполне окружен Кремнием, вафля полно совместима с стандартным изготавливанием кремния cmos. Для длин волны светлое длиннего чем bandgap кремния (mu.m 1.1), кремний вполне прозрачн и поэтому оптически сигналы можно передать между врезанным optoelectronic слоем и внешним волноводом использующ или нормальное падение (через субстрат кремния или верхний слой крышки кремния) или падение в-ploskosti (соединение края).