In a data storage apparatus comprising means for storing and retrieving data in respective write and read operations, and first and second set of addressing electrodes are provided, the latter set having electrodes that preferably are oriented orthogonally to the electrodes of the first set, and the electrodes (b, c) of the second set are provided as parallel twin electrodes located in parallel recesses or trenches (3) in the electrodes of the first set. The trenches compris a soft ferroelectric or electret memory material with piezoelectric properties such that memory cells (1) with two subcells (.alpha..sub.1, .alpha..sub.2) are formed in the trench (3) respectively between the electrodes (a) of the first set and the parallel twin electrodes (b, c) on either side of the latter. In a write operation data are encoded in the memory cells (1) by means of an applied voltage potential over the subcells (.alpha..sub.1, .alpha..sub.2). In a non-destructive readout operation of data encoded and stored in the memory cells (1) in this manner, the piezoelectric properties of the memory material (2) is employed for eliciting response signals from the subcells (.alpha..sub.1, .alpha..sub.2) of a memory cell (1) when the former are subjected to mechanical stresses in the lateral direction, such that the logical value stored in the memory cell (1) can be determined.

Em um instrumento do armazenamento de dados de que compreende meios para armazenar e recuperar dados em respectivo escreva e operações lidas, e ajustado primeiramente e em segundo de dirigir-se aos elétrodos são fornecidos, o último jogo que têm os elétrodos que são orientados preferivelmente orthogonally aos elétrodos do primeiro jogo, e os elétrodos (b, c) do segundo jogo é fornecido como os elétrodos gêmeos paralelos posicionados em rebaixos paralelos ou em trincheiras (3) nos elétrodos do primeiro jogo. Os compris das trincheiras um material macio ferroelectric ou do electret da memória com propriedades piezoelectric tais que as pilhas de memória (1) com dois subcells (alpha..sub.1, alpha..sub.2) estão dadas forma na trincheira (3) respectivamente entre os elétrodos (a) do primeiro jogo e os elétrodos gêmeos paralelos (b, c) em um ou outro lado do último. Na operação da escrita uns dados são codificados nas pilhas de memória (1) por meio de um potencial aplicado da tensão sobre os subcells (alpha..sub.1, alpha..sub.2). Em uma operação non-destructive do readout dos dados codificados e armazenados nas pilhas de memória (1) nesta maneira, as propriedades piezoelectric do material da memória (2) são empregados eliciando sinais de resposta dos subcells (alpha..sub.1, alpha..sub.2) de uma pilha de memória (1) quando o anteriores são sujeitados aos stresses mecânicos no sentido lateral, tal que o valor lógico armazenado na pilha de memória (1) pode ser determinado.