A wirebond structure includes a copper pad formed on or in a surface of a microelectronic die. A conductive layer is included in contact with the copper pad and a bond wire is bonded to the conductive layer. The conductive layer is formed of a material to provide a stable contact between the bond wire and the copper pad in at least one of an oxidizing environment and an environment with temperatures up to at least about 350.degree. C.

Μια δομή wirebond περιλαμβάνει ένα μαξιλάρι χαλκού που διαμορφώνεται σε ή σε μια επιφάνεια ενός μικροηλεκτρονικού κύβου. Ένα αγώγιμο στρώμα συμπεριλαμβάνεται σε επαφή με το μαξιλάρι χαλκού και ένα καλώδιο δεσμών συνδέεται με το αγώγιμο στρώμα. Το αγώγιμο στρώμα διαμορφώνεται ενός υλικού για να παρέχει σε μια σταθερή επαφή μεταξύ του καλωδίου δεσμών και του μαξιλαριού χαλκού τουλάχιστον σε ένα από ένα οξειδωτικό περιβάλλον και ένα περιβάλλον τις θερμοκρασίες μέχρι τουλάχιστον για 350.degree. γ.