Techniques of shallow trench isolation and devices produced therefrom are shown. The techniques of shallow trench isolation utilize foamed polymers, cured aerogels or air gaps as the insulation medium. Such techniques facilitate lower dielectric constants than the standard silicon dioxide due to the cells of gaseous components inherent in foamed polymers, cured aerogels or air gaps. Lower dielectric constants reduce capacitive coupling concerns and thus permit higher device density in an integrated circuit device. The shallow trench isolation structures are used on a variety of substrates including silicon-on-insulator (SOI) substrates and silicon-on-nothing (SON) substrates.

De technieken van ondiepe daarvan veroorzaakte worden geulisolatie en apparaten getoond. De technieken van ondiepe geulisolatie gebruiken schuimpolymeren, genezen aerogels of luchthiaten als isolatiemiddel. Dergelijke technieken vergemakkelijken lagere diëlektrische constanten dan het standaardsiliciumdioxyde toe te schrijven aan de cellen van gasachtige componenten inherent aan schuimpolymeren, genezen aerogels of luchthiaten. De lagere diëlektrische constanten verminderen capacitieve koppelingszorgen en laten zo hogere apparatendichtheid in een apparaat toe van geïntegreerde schakelingen. De ondiepe structuren van de geulisolatie worden gebruikt op een verscheidenheid van substraten met inbegrip van silicon-on-insulator (SOI) substraten en silicium-op-niets de substraten (van de ZOON).