The present invention provides a surface emitting laser and a photodiode
which permit secure mounting even in mounting by flip chip bonding, and
high-speed modulation. The present invention also provides a manufacturing
method therefor and an optoelectric integrated circuit using the surface
emitting laser and the photodiode. Semiconductor stacked layers stacked on
a semiconductor substrate have a light emitting portion and a reinforcing
portion formed with a recessed portion provided therebetween, and a p-type
ohmic electrode and an n-type ohmic electrode are formed on the top of the
reinforcing portion. The p-type ohmic electrode is electrically connected
to a p-type contact layer through a contact hole vertically formed in
polyimide buried in the recessed portion to permit supply of a current to
the light emitting portion in the thickness direction. The recessed
portion has a groove formed to reach the semiconductor substrate, thereby
suppressing the parasitic capacity between the p-type ohmic electrode and
the n-type ohmic electrode.
La actual invención proporciona un laser que emite superficial y un fotodiodo que permitan el montaje seguro incluso en montar por la vinculación de la viruta del tirón, y modulación de alta velocidad. La actual invención también proporciona un método de fabricación por consiguiente y un circuito integrado optoelectric usando el laser que emite superficial y el fotodiodo. El semiconductor apiló capas apilado en un substrato del semiconductor tiene una porción que emitía ligera y una porción que refuerza formada con una porción ahuecada proporcionada therebetween, y un p-tipo electrodo óhmico y un n-tipo electrodo óhmico se forman en la tapa de la porción que refuerza. El p-tipo electrodo óhmico está conectado eléctricamente con un p-tipo capa del contacto a través de un agujero del contacto formado verticalmente en el polyimide enterrado en la porción ahuecada para permitir la fuente de una corriente a la porción que emite ligera en la dirección del grueso. La porción ahuecada tiene un surco formado para alcanzar el substrato del semiconductor, de tal modo suprimiendo la capacidad parásita entre el p-tipo electrodo óhmico y el n-tipo electrodo óhmico.
