A method for fabricating a semiconductor device, involving: forming a gate stack on a substrate; depositing a material layer on the gate stack; etching the material layer, thereby forming a dielectric capsulate layer on the gate stack; forming a pair of shallow source/drain extensions in a first region of the substrate by implanting a plurality of first dopant ions at a tilt angle with a horizontal offset defined by a thickness of the dielectric capsulate layer; and forming at least one spacer on the dielectric capsulate layer; forming deep source/drain contact junctions in a second region of the substrate by vertically implanting a plurality of second dopant ions below the first region with no tilt and with a horizontal offset defined by a thickness of the at least one spacer.

Метод для изготовлять прибора на полупроводниках, включая: формировать стог строба на субстрате; депозировать материальный слой на стоге строба; вытравлять материальный слой, таким образом формируя диэлектрический слой capsulate на стоге строба; формирующ пару отмелых выдвижений source/drain в первую зону субстрата путем имплантировать множественность первых ионов dopant на угле наклона при горизонтальное смещение определенное толщиной диэлектрического слоя capsulate; и формирующ по крайней мере одну прокладку на диэлектрическом слое capsulate; формирующ глубокие соединения контакта source/drain в второй зоне субстрата вертикальн имплантировать множественность вторых ионов dopant под первой зоной без наклона и при горизонтальное смещение определенное толщиной по крайней мере одной прокладки.