A surface emitting semiconductor laser capable of improving high temperature properties is provided. In a surface emitting semiconductor laser, as well width of an active layer is set at from 4 nm to 6 nm and the number of wells thereof is set at one or two In addition, above and below the active layer, InGaAlP clad layers are formed, and in a stacking direction of the active layer, through the above and below clad layers each, further above and below thereof, light reflecting layers are formed.

Un laser d'émission extérieur de semi-conducteur capable d'améliorer les propriétés à hautes températures est fourni. Dans un laser d'émission extérieur de semi-conducteur, la largeur d'une couche active est aussi bien placée à de 4 nm à 6 nm et le nombre de puits en est placé à un ou deux en outre, au-dessus de et au-dessous de la couche active, des couches plaquées d'InGaAlP sont formées, et dans une direction d'empilement de la couche active, par des couches ci-dessus et au-dessous plaquées chacune, d'autres ci-dessus et ci-dessous en, des couches se reflétantes de lumière sont formés.