A catalyst element remaining in a first semiconductor film subjected to a first heat treatment (crystallization) is moved and concentrated/collected by subjecting a second semiconductor film which is formed on the first semiconductor film and contains a rare gas element to a second heat treatment. That is, the rare gas element is incorporated into the second semiconductor film to generate a strain field as a gettering site.

Een katalysatorelement dat in een eerste halfgeleiderfilm die aan een eerste thermische behandeling (kristallisatie) wordt onderworpen blijft wordt bewogen en geconcentreerd/door een tweede halfgeleiderfilm verzameld te onderwerpen die op de eerste halfgeleiderfilm wordt gevormd en een zeldzaam gaselement aan een tweede thermische behandeling bevat. Namelijk wordt het zeldzame gaselement opgenomen in de tweede halfgeleiderfilm om een spanningsgebied als gettering plaats te produceren.