A magnetoresistance effect device comprises a magnetic multi-layer film
having at least an antiferromagnetic film, a first ferromagnetic film, a
non-magnetic film, and a second ferromagnetic film formed in the order on
the front surface portion of the substrate, the magnetic multi-layer film
having giant magnetoresistance effect, at least the second ferromagnetic
film having a shape corresponding to a magnetic field detecting portion.
The bias magnetic field applying films are disposed on a conductive film
of the magnetic multi-layer film at outer portions of both edge portions
of the magnetic field detecting portion of the magnetoresistance effective
film. Alternatively, the second ferromagnetic film has a first portion
corresponding to the magnetic field detecting portion and a second portion
corresponding to the outer portions of both the edge portions of the
magnetic field detecting portion, the film thickness of the second portion
being smaller than the film thickness of the first portion. The bias
magnetic field applying films are formed at the outer portions of both the
edge portions of the magnetic field detecting portion of the second
ferromagnetic film. With the reversely structured magnetoresistance effect
film and the laminate positions of the bias magnetic field applying films,
in addition to suppressing the reproduction fringe and Barkhausen noise,
the decrease of contact resistance, the suppression of insulation detect,
and good linear response characteristic can be accomplished.
Een magneto-weerstandeffect apparaat bestaat uit een magnetische multi-layer film minstens een antiferromagnetic film hebben, uit een eerste ferromagnetische film, uit een niet-magnetische film, en uit een tweede ferromagnetische film die die in de orde op het vooroppervlaktegedeelte wordt gevormd van het substraat, de magnetische multi-layer film die reuzemagneto-weerstandeffect hebben, minstens de tweede ferromagnetische film die een vorm hebben die aan een magnetisch veld beantwoorden ontdekkend gedeelte. Het bias magnetische gebied dat films toepast wordt geschikt op een geleidende film van de magnetische multi-layer film bij buitengedeelten beide randgedeelten van het magnetische veld ontdekkend gedeelte van de magneto-weerstand efficiënte film. Alternatief, heeft de tweede ferromagnetische film een eerste gedeelte aan het magnetische veld beantwoorden ontdekkend gedeelte en een tweede gedeelte die aan de buitengedeelten beide randgedeelten beantwoorden van het magnetische veld ontdekkend gedeelte, de filmdikte van het tweede gedeelte die kleiner dan de filmdikte van het eerste gedeelte zijn. Het bias magnetische gebied dat films toepast wordt gevormd bij de buitengedeelten beide randgedeelten van het magnetische veld ontdekkend gedeelte van de tweede ferromagnetische film. Met de integendeel gestructureerde magneto-weerstandeffect film en de gelamineerde posities van het bias magnetische gebied dat films, naast het onderdrukken van de reproductierand en Barkhausen het lawaai, de daling toepast van contactweerstand, ontdekt de afschaffing van isolatie, en het goede lineaire reactiekenmerk kan worden verwezenlijkt.
