The present invention, by improving the silicon surface/bulk micromachining
technology using two steps of silicon etch mask patterning and four steps
of silicon etching, fabricates a structure which has vertically offset
electrodes and consequently fabricates an electrostatic vertical and
torsional actuator using one single-crystalline silicon wafer. According
to the method of the present invention, the problems of the prior art that
used a number of silicon wafers and single/double SOI wafers, or combining
of these wafers with additional deposited poly-crystalline silicon films,
may be resolved.
De onderhavige uitvinding, door de siliciumoppervlakte te verbeteren/de bulk micromachining technologie die twee stappen van silicium gebruiken etst masker vormend en vier stappen van silicium ets, vervaardigt een structuur die verticaal elektroden heeft gecompenseerd en bijgevolg elektrostatische verticale en gewrongen actuator gebruikend één single-crystalline siliciumwafeltje vervaardigd. Volgens de methode van de onderhavige uitvinding, kunnen de problemen van de vroegere kunst die een aantal siliciumwafeltjes en enige/dubbele wafeltjes gebruikten SOI, of het combineren van deze wafeltjes met extra gedeponeerde poly-crystalline siliciumfilms, worden opgelost.
