High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown
overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers by
forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An
accommodating buffer layer comprises a layer of monocrystalline oxide
spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of
silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits
the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer
layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the
underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer.
A monocrystalline layer is then formed over the accommodating buffer
layer, such that a lattice constant of the monocrystalline layer
substantially matches the lattice constant of a subsequently grown
monocrystalline film.
Las capas epitaxial de la alta calidad de materiales monocristalinos pueden ser substratos monocristalinos sobrepuestos crecidos tales como obleas de silicio grandes formando un substrato obediente para crecer las capas monocristalinas. Una capa servicial del almacenador intermediario abarca una capa del óxido monocristalino espaciada aparte de la oblea de silicio por una capa amorfa del interfaz del óxido del silicio. La capa amorfa del interfaz disipa la tensión y permite el crecimiento de una capa servicial del almacenador intermediario del óxido monocristalino de la alta calidad. La capa servicial del almacenador intermediario es enrejado emparejado a la oblea de silicio subyacente y a la capa material monocristalina sobrepuesta. Una capa monocristalina entonces es excedente formado la capa servicial del almacenador intermediario, tal que una constante del enrejado de la capa monocristalina empareja substancialmente la constante del enrejado de una película monocristalina posteriormente crecida.
