A semiconductor thin film having extremely superior crystallinity and a
semiconductor device using the semiconductor thin film having high
performance are provided. The semiconductor thin film is manufactured in
such a manner that after an amorphous semiconductor thin film is
crystallized by using a catalytic element, a heat treatment is carried out
in an atmosphere containing a halogen element to remove the catalytic
element. The thus obtained crystalline semiconductor thin film has
substantially {110} orientation. The concentration of C, N, and S
remaining in the final semiconductor thin film is less than
5.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3, and the concentration of O is less than
1.5.times.10.sup.19 atoms/cm.sup.3.
Una pellicola sottile a semiconduttore che hanno cristallinità estremamente superiore e un dispositivo a semiconduttore che usando la pellicola sottile a semiconduttore che ha rendimento elevato sono forniti. Il semiconduttore che la pellicola sottile è manufactured in maniera tale che dopo il semiconduttore amorfo una pellicola sottile sia cristallizzata usando un elemento catalitico, un trattamento termico è effettuato in un atmosfera che contiene un elemento dell'alogeno per rimuovere l'elemento catalitico. La pellicola sottile così ottenuta a semiconduttore cristallino ha sostanzialmente orientamento {di 110}. La concentrazione della C, N e la S restante nella pellicola sottile a semiconduttore finale è di meno che 5.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3 e la concentrazione della O è di meno che 1.5.times.10.sup.19 atoms/cm.sup.3.
