A semiconductor laser includes semiconductor layers stacked on a substrate,
and a pair of resonator end surfaces opposed to each other in the
direction perpendicular to the stacking direction. In this semiconductor
laser, a light emission side reflecting film is formed on one of the
resonator end surfaces. A refractive index of the reflecting film against
an emission wavelength of laser light is set to a value between an
effective refractive index and a refractive index of the substrate.
Another semiconductor laser includes a light emission function layer stack
including a cladding layer and an active layer formed on one place of a
translucent substrate; two electrodes having different polarities, which
are provided on the light emission function layer stack side; and a light
leakage preventive film formed on the other plane of the translucent
substrate.
Um laser do semicondutor inclui as camadas do semicondutor empilhadas em uma carcaça, e um par das superfícies da extremidade do ressonador opostas a se na perpendicular do sentido ao sentido de empilhamento. Neste laser do semicondutor, uma película refletindo lateral da emissão clara é dada forma em uma das superfícies da extremidade do ressonador. Um índice refractive da película refletindo de encontro a um wavelength da emissão da luz de laser é ajustado a um valor entre um índice refractive eficaz e um índice refractive da carcaça. Um outro laser do semicondutor inclui uma pilha clara da camada da função da emissão including uma camada do cladding e uma camada ativa dadas forma em um lugar de uma carcaça translúcida; dois elétrodos que têm as polaridades diferentes, que são fornecidas no lado claro da pilha da camada da função da emissão; e uma película preventiva do escapamento claro deu forma no outro plano da carcaça translúcida.
