A magnetoresistive read (MR) sensor system and a method for fabricating the
same are provided. First provided are a spacer layer, and a first
ferromagnetic layer positioned above the spacer layer. Also included is an
antiparallel layer positioned above the first ferromagnetic layer. A
second ferromagnetic layer is positioned above the antiparallel layer.
Such first and second ferromagnetic layers are antiferromagnetically
coupled. Next provided is a pair of antiferromagnetic layers positioned
above the second ferromagnetic layer for defining inner free portions and
outer pinned portions of the first ferromagnetic layer and the second
ferromagnetic layer. The inner free portion of the first ferromagnetic
layer has a first thickness t.sub.A, the inner free portion of the second
ferromagnetic layer has a second thickness t.sub.B, the outer pinned
portion of the first ferromagnetic layer has a third thickness t.sub.C,
and the outer pinned portion of the second ferromagnetic layer has a
fourth thickness t.sub.D. The third thickness t.sub.C of the first
ferromagnetic layer and the fourth thickness t.sub.D of the second
ferromagnetic layer are substantially equal to the enhance the pinning of
the outer pinned portions of the ferromagnetic layers.
Un sistema colto magnetoresistente del sensore (del SIG.) e un metodo per fabbricare lo stesso sono forniti. In primo luogo sono forniti uno strato del distanziatore e un primo strato ferromagnetico posizionato sopra lo strato del distanziatore. Inoltre è incluso uno strato del antiparallel posizionato sopra il primo strato ferromagnetico. Un secondo strato ferromagnetico è posizionato sopra lo strato del antiparallel. Tali primi e strati in secondo luogo ferromagnetici antiferromagnetically coppia. Dopo sarà fornito un accoppiamento degli strati antiferromagnetic posizionati sopra il secondo strato ferromagnetico per la definizione le parti libere interne e delle parti appuntate esterne del primo strato ferromagnetico e del secondo strato ferromagnetico. La parte libera interna del primo strato ferromagnetico ha un primo spessore t.sub.A, la parte libera interna del secondo strato ferromagnetico ha un secondo spessore t.sub.B, la parte appuntata esterna del primo strato ferromagnetico ha un terzo spessore t.sub.C e la parte appuntata esterna del secondo strato ferromagnetico ha uno spessore t.sub.D di quarto. Il terzo spessore t.sub.C del primo strato ferromagnetico e lo spessore t.sub.D di quarto del secondo strato ferromagnetico sono sostanzialmente uguali all'aumento appuntare delle parti appuntate esterne degli strati ferromagnetici.
