The present invention relates to low a dielectric material essential for a
next generation semiconductor with high density and high performance, and
more particularly to a low dielectric material that is thermally stable
and has good film-forming properties and excellent mechanical properties,
a dielectric film comprising the low dielectric material, and a
semiconductor device manufactured using the dielectric film.
The present invention provides an organic silicate polymer having a
flexible organic bridge unit in the network prepared by the resin
composition of the component (a) and the component (b).
a) organosilane of the formula R.sup.1.sub.m R.sup.2.sub.n SiX.sub.4-m-n
(where each of R.sup.1 and R.sup.2 which may be the same or different, is
a non-hydrolysable group; X is a hydrolysable group; and m and n are
integers of from 0 to 3 satisfying 0.ltoreq.m+n.ltoreq.3) and/or a
partially hydrolyzed condensate thereof
b) organic bridged silane of the formula R.sup.3.sub.p Y.sub.3-p
Si--M--SiR.sup.4.sub.q Z.sub.3-q (where each of R.sup.3 and R.sup.4 which
may be the same or different, is a non-hydrolysable group; each of Y and Z
which may be the same or different, is a hydrolysable group; and p and q
are integers of from 0 to 2) and/or a cyclic oligomer with organic bridge
unit (Si--M--Si).
Η παρούσα εφεύρεση αφορά χαμηλό ένα διηλεκτρικό υλικό ουσιαστικό για έναν ημιαγωγό επόμενης γενεάς με την υψηλή πυκνότητα και την υψηλή απόδοση, και ειδικότερα ένα χαμηλό διηλεκτρικό υλικό που είναι θερμικά σταθερό και έχει τις καλές film-forming ιδιότητες και τις άριστες μηχανικές ιδιότητες, μια διηλεκτρική ταινία περιλαμβάνοντας το χαμηλό διηλεκτρικό υλικό, και μια συσκευή ημιαγωγών που κατασκευάζεται που χρησιμοποιεί τη διηλεκτρική ταινία. Η παρούσα εφεύρεση παρέχει ένα οργανικό πολυμερές σώμα πυριτικών αλάτων που έχει μια εύκαμπτη οργανική μονάδα γεφυρών στο δίκτυο που προετοιμάζεται από τη σύνθεση ρητίνης του συστατικού (α) και του συστατικού (β). α) organosilane του τύπου R.sup.1.sub.m R.sup.2.sub.n σηΞ.σuψ.4-μ-ν (όπου κάθε ένα από R.sup.1 και R.sup.2 που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι μη-χυδρολυσαψλε ομάδα το Χ είναι hydrolysable ομάδα και το μ και το ν είναι ακέραιοι αριθμοί από 0 έως 3 ικανοποιητικός 0.ltoreq.m+n.ltoreq.3) ή/και μερικώς υδρολυμένο συμπυκνωμένο επ' αυτού β) οργανικό γεφυρωμένο silane του Si υ.σuψ.3-Π -- μ τύπου R.sup.3.sub.p -- SiR.sup.4.sub.q ζ.σuψ.3-Θ*q (όπου κάθε ένα από R.sup.3 και R.sup.4 που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι μη-χυδρολυσαψλε ομάδα κάθε ένα από το Υ και το ζ που μπορούν να είναι τα ίδια ή διαφορετικά, είναι hydrolysable ομάδα και το π και το q είναι ακέραιοι αριθμοί από 0 έως 2) και/©έ
