Sealed-type remote pressure-monitoring device and method for fabricating the same

   
   

Disclosed are a remote pressure-monitoring device and a preparing method thereof. The device comprises a metal electrode on a glass substrate, a capacitive sensor made of a silicon diaphragm, and an electroplated inductor electrically connected, in parallel, with the sensor. The glass substrate and the silicon are electrically bonded to form an LC resonator. For the fabrication of the device, first, a metal electrode which plays a role as a lower electrode for a capacitive pressure sensor is deposited on the glass substrate with the same coefficient of thermal expansion as that of silicon. An inductor is formed at a thickness by copper electroplating, surrounding the metal electrode at a predetermined distance. A silicon substrate is anisotropically etched to form a space for enveloping the metal electrode at a central area and to form a groove around the space. Boron ions are diffused lightly into the space and deeply into the groove to form etch barriers thereat, followed by bonding the silicon substrate on the glass substrate through an electrical contact in such a way that the metal electrode and the inductor are enveloped in the space and the groove, respectively. Then, the silicon substrate is etched out from its rear side to the extent that the etch barriers are exposed.

Sono rilevati un dispositivo dicontrollo a distanza e un metodo di preparazione di ciò. Il dispositivo contiene un elettrodo del metallo su un substrato di vetro, su un sensore capacitivo fatto di un diaframma del silicone e su un induttore placcato collegato elettricamente, parallelamente, con il sensore. Il substrato di vetro ed il silicone sono legati elettricamente per formare un risonatore di LC. Per la lavorazione del dispositivo, primo, un elettrodo del metallo che svolge un ruolo mentre un elettrodo più basso per un sensore capacitivo di pressione è depositato sul substrato di vetro con lo stesso coefficente di espansione termica di quello di silicone. Un induttore è formato ad uno spessore dalla placcatura elettrolitica di rame, circondando l'elettrodo del metallo ad una distanza predeterminata. Un substrato del silicone anisotropically è inciso per formare uno spazio per l'avvolgimento dell'elettrodo del metallo ad una zona centrale e per formare una scanalatura intorno allo spazio. Gli ioni del boro sono diffusi leggermente nello spazio e profondamente nella scanalatura per formare il thereat delle barriere incissione all'acquaforte, seguito legando il substrato del silicone sul substrato di vetro attraverso un contatto elettrico im modo tale che l'elettrodo del metallo e l'induttore sono avvolti nello spazio e nella scanalatura, rispettivamente. Allora, il substrato del silicone è inciso fuori dal relativo lato posteriore fino al punto in cui le barriere incissione all'acquaforte sono esposte.

 
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