Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

   
   

Method of forming a magnetic memory device are disclosed. In one embodiment, a first plurality of conductive lines are formed over a semiconductor workpiece. A plurality of magnetic material lines are formed over corresponding ones of the first plurality of conductive lines and a second plurality of conductive lines are formed over the semiconductor workpiece. The second plurality of conductive lines cross over the first conductive lines and the magnetic material lines. These second lines can be used as a mask to while the magnetic material lines are patterned.

Метод формировать магнитное приспособление памяти показан. В одном воплощении, первая множественность проводных линий сформирована над workpiece полупроводника. Множественность магнитных материальных линий сформирована над соответствуя одной из первой множественности проводных линий и вторая множественность проводных линий сформирована над workpiece полупроводника. Вторая множественность проводных линий пересекает над первыми проводными линиями и магнитными материальными линиями. Эти вторые линии можно использовать как маска пока магнитные материальные линии сделаны по образцу.

 
Web www.patentalert.com

< Thin film magnetic memory device reducing a charging time of a data line in a data read operation

< Systems and methods for limiting access to imaging device consumable components

> Thin film magnetic memory device sharing an access element by a plurality of memory cells

> Magnetoresistive memory devices and assemblies

~ 00102