A gain-coupled DFB semiconductor laser device has a resonator and a
diffraction grating which feeds-back the emission from the resonator to
increase wavelength selectively. The gain-coupled coefficient
.kappa..sub.g and the length Lg of the diffraction grating satisfy the
following relationship:
0.5.ltoreq..vertline..kappa..sub.g.vertline..times.L.sub.g.ltoreq.1.1.
The yield rate of the DFB laser device with respect to the
single-longitudinal mode lasing characteristic is improved.
Приобретать-soedinennoe приспособление лазера полупроводника DFB имеет резонатор и решетку огибания podaet-nazad излучение от резонатора к длине волны увеличения селективно. Приобретать-soedinennoe kappa..sub.g коэффициента и длина lg решетки огибания удовлетворяют following отношение: 0.5.ltoreq..vertline..kappa..sub.g.vertline..times.L.sub.g.ltoreq.1.1. Улучшен тариф выхода приспособления лазера DFB по отношению к характеристике одиночн-prodol6nogo режима lasing.
