The present invention discloses a chemical amplified photoresist
composition including a polymer having a repeated unit of the formula
(II),
##STR1##
wherein R.sup.1 is H, haloalkyl group or C.sub.1 -C.sub.4 alkyl group;
R.sup.2 is hydroxyl group, C.sub.1 -C.sub.8 alkoxy group or C.sub.1
-C.sub.8 thioalkyl group; G is (CH.sub.2).sub.n, O or S, wherein n is 0,
1, 2, 3 or 4; Rc is a lactone group; and m is 1, 2 or 3. The chemical
amplified photoresist composition of the present invention can be applied
to general lithography processes, and particularly to the lithography of
ArF, KrF or the like light sources, and exhibit excellent resolution,
figures and photosensitivity.
Η παρούσα εφεύρεση αποκαλύπτει μια χημική ενισχυμένη photoresist σύνθεση συμπεριλαμβανομένου ενός πολυμερούς σώματος που έχει μια επαναλαμβανόμενη μονάδα του τύπου (II), ## STR1 ## όπου R.sup.1 είναι χ, ομάδα haloalkyl ή C.sub.1 - αλκυλική ομάδα C.sub.4 το R.sup.2 είναι ομάδα υδροξυλίου, C.sub.1 - αλκόξινη ομάδα C.sub.8 ή C.sub.1 - ομάδα thioalkyl C.sub.8 Το γ είναι (CH.sub.2).sub.n, ο ή s, όπου το ν είναι 0 ..1 ..2 ..3 ή 4 Rc είναι ομάδα λακτόνης και το μ είναι 1 ..2 ή 3. Η χημική ενισχυμένη photoresist σύνθεση της παρούσας εφεύρεσης μπορεί να εφαρμοστεί στις γενικές διαδικασίες λιθογραφίας, και ιδιαίτερα στη λιθογραφία των πηγών φωτός ArF, KrF ή ομοίων, και να εκθέσει το άριστους ψήφισμα, τους αριθμούς και τη φωτοευαισθησία.
