The present invention provides a metal contact of SiGe combined with cobalt
silicide and cobalt. The contact resistance is greatly lowered due to both
the low Schottky Barrier Height of SiGe and the low sheet resistance of
cobalt silicide. The cobalt layer can serve as a glue layer and diffusion
barrier layer. Thus, no additional glue layer or diffusion barrier layer
needs to be formed. Moreover, the metal contact of the present invention
can be integrated with a DRAM by a hybrid contact method. Implantation
contact is used in pFET regions and diffusion contact is used in nFET
regions. This can reduce mask steps and production costs.
De onderhavige uitvinding verstrekt een metaalcontact van SiGe dat met kobaltsilicide en kobalt wordt gecombineerd. De contactweerstand wordt zeer verminderd wegens zowel de lage Hoogte van de Barrière Schottky van SiGe als de lage bladweerstand van kobaltsilicide. De kobaltlaag kan als lijmlaag en laag van de verspreidingsbarrière dienen. Aldus, moeten geen extra lijmlaag of laag van de verspreidingsbarrière worden gevormd. Voorts kan het metaalcontact van de onderhavige uitvinding met DRAM door een hybride contactmethode worden geïntegreerd. Het contact van de inplanting wordt gebruikt in gebieden pFET en het verspreidingscontact wordt gebruikt in gebieden nFET. Dit kan maskerstappen en productiekosten drukken.
