In an active matrix type EL device, a semiconductor layer (intersection
protective film F1, F2, F3, F4) is inserted between lines at an
intersection of a gate line GL and a data line DL; an intersection of the
gate line GL and a power source line VL; an intersection of a storage
capacitor line CL and the data line DL; and an intersection of the storage
capacitor line CL and the power source line VL for inter-line insulation.
No impurities are doped in the regions corresponding to these
intersections CR1.about.CR4, to thereby maintain high resistance. The
intersection protective films are integrally formed for the intersections
CR1 and CR2 and for the intersections CR3 and CR4 and extend over the
respective two intersections. With the above-described structure, it is
possible to prevent short circuit or deterioration of voltage withstanding
characteristics at the intersections on the panel where lines intersect,
without a drastic increase in the number of processes.
En un tipo activo dispositivo de la matriz del EL, una capa del semiconductor (película protectora F1, F2, F3, F4 de la intersección) se inserta entre las líneas en una intersección de una línea GL de la puerta y de una línea de datos DL; una intersección de la línea GL de la puerta y una fuente de energía alinean VL; una intersección de una línea CL del condensador del almacenaje y de la línea de datos DL; y una intersección de la línea CL del condensador del almacenaje y de la línea VL de la fuente de energía para el aislamiento del inter-line. No se dopa ningunas impurezas en las regiones que corresponden a estas intersecciones CR1.about.CR4, de tal modo para mantener alta resistencia. Las películas protectoras de la intersección se forman integralmente para las intersecciones CR1 y CR2 y para las intersecciones CR3 y CR4 y extienden sobre las dos intersecciones respectivas. Con la estructura descrita antes, es posible prevenir el cortocircuito o la deterioración de las características que soportan del voltaje en las intersecciones en el panel en donde las líneas se intersecan, sin un aumento drástico en el número de procesos.
