A method of cleaning and removing solid particles during a manufacturing
process from a microelectronic device such as a resist-coated
semiconductor substrate, a MEM's device, or an optoelectronic device
comprising the steps of: (a) providing a partially fabricated integrated
circuit, MEM's device, or optoelectronic device having water and entrained
solutes on the substrate; (b) providing a densified (e.g., liquid or
supercritical) carbon dioxide cleaning composition, the cleaning
composition comprising carbon dioxide and a cleaning adjunct, the cleaning
adjunct selected from the group consisting of cosolvents, surfactants, and
combinations thereof; (c) immersing the surface portion in the densified
carbon dioxide cleaning composition to remove solid particles from the
surface portion; and then (d) removing the cleaning composition from the
surface portion. Process parameters are controlled so that the cleaning
composition is maintained as a homogeneous composition during the
immersing step, the removing step, or both the immersing and removing
step, without substantial deposition of the drying/cleaning adjunct or
solid particles on the substrate.
Um método da limpeza e de remover as partículas contínuas durante um processo de manufacturing de um dispositivo microelectronic tal como uma carcaça resist-coated do semicondutor, o dispositivo de um MEM, ou um dispositivo optoelectronic que compreende as etapas de: (a) fornecendo um circuito integrado parcialmente fabricado, o dispositivo de MEM, ou o dispositivo optoelectronic que tem a água e solutes entrained na carcaça; (b) fornecendo a densified (por exemplo, líquido ou supercritical) a composição da limpeza do dióxido de carbono, a composição da limpeza que compreendem o dióxido de carbono e um adjunct da limpeza, o adjunct da limpeza selecionado dos cosolvents consistindo do grupo, surfactants, e combinações disso; (c) immersing a parcela de superfície no densified a composição da limpeza do dióxido de carbono para remover as partículas contínuas da parcela de superfície; e então (d) removendo a composição da limpeza da parcela de superfície. Os parâmetros process são controlados de modo que a composição da limpeza seja mantida enquanto uma composição homogênea durante a etapa immersing, a etapa removendo, ou a etapa immersing e removendo, sem deposition substancial do adjunct de drying/cleaning ou partículas contínuas na carcaça.
