A heterostructure comprising: a buffer layer; a bottom barrier layer formed
on the buffer layer; a quantum well layer formed on the bottom barrier
layer; a top barrier layer formed on the quantum well layer; and a p-doped
cap layer formed on the top barrier layer; wherein a portion of the cap
layer is etched to form conducting electrons in the quantum well layer
below the etched portion of the cap layer. A method of etching comprising
the steps of: providing a heterostructure; providing an etchant solution
comprising acetic acid, hydrogen peroxide, and water; and contacting the
etchant solution to the heterostructure to etch the heterostructure.
Ein Heterostrukturenthalten: eine Pufferschicht; eine untere Grenzschicht bildete sich auf der Pufferschicht; eine Quantenbrunnenschicht bildete sich auf der unteren Grenzschicht; eine obere Grenzschicht bildete sich auf der Quantenbrunnenschicht; und eine p-lackierte Kappe Schicht bildete sich auf der oberen Grenzschicht; worin ein Teil der Kappe Schicht geätzt wird, um sich zu bilden, überlagern Leitelektronen im Quantenbrunnen unterhalb des geätzten Teils der Kappe Schicht. Eine Methode der Radierung die Schritte von enthalten: Zur Verfügung stellen einer Heterostruktur; Zur Verfügung stellen einer etchant Lösung, die Essigsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser enthält; und mit der etchant Lösung zur Heterostruktur in Verbindung tretend, um die Heterostruktur zu ätzen.
