A method of CMP planarizing a silicon dioxide layer on a silicon nitride in
the semiconductor die is disclosed. A wafer has a plurality substantially
identical semiconductor dies defined on the wafer. Each of the dies is
separated from one another by a scribe line. A layer of silicon nitride is
formed on the planar surface of the wafer where the silicon nitride has a
top surface which is substantially parallel to the planar surface. A layer
of silicon dioxide is deposited on the top surface with the silicon
dioxide varying in height above the top surface. A mask is formed across
the wafer, including on the scribe line, where the mask has a plurality of
locations with each location having a differing density of gap-to-pillar
ratio, which is proportional to the height of the silicon dioxide above
the top surface. The silicon dioxide is anisotropically etched through
each gap of the mask across the entire wafer where each gap is etched by
the same amount in the height direction. CMP is then used to planarize the
silicon dioxide to the top surface of the silicon nitride across the
entire wafer.
Un metodo del CMP che planarizing uno strato del diossido del silicone su un nitruro di silicio nel dado a semiconduttore è rilevato. Una cialda ha dadi sostanzialmente identici a semiconduttore di pluralità definiti sulla cialda. Ciascuno dei dadi è separato l'un l'altro da un contrassegno. Uno strato del nitruro di silicio è formato sulla superficie planare della cialda in cui il nitruro di silicio ha una superficie superiore che è sostanzialmente parallela alla superficie planare. Uno strato del diossido del silicone è depositato sulla superficie superiore con il diossido del silicone che varia di l'altezza sopra la superficie superiore. Una mascherina è formata attraverso la cialda, includente sul contrassegno, in cui la mascherina ha una pluralità di posizioni con ogni posizione che ha una densità differente del rapporto della spacco-$$$-COLONNA, che è proporzionale all'altezza del diossido del silicone sopra la superficie superiore. Il diossido del silicone anisotropically è inciso con ogni spacco della mascherina attraverso l'intera cialda in cui ogni spacco è inciso dallo stesso importo nel senso di altezza. Il CMP allora è utilizzato planarize il diossido del silicone alla superficie superiore del nitruro di silicio attraverso l'intera cialda.
