A current limiting layer including a mixture of a conductive portion and an
insulating portion is provided on the side (upper side) of a free magnetic
layer which a sensing current reaches. This can decrease the effective
element area while maintaining the large optical element area. Therefore,
a magnetic sensing element can easily be formed by using a
photolithography technique having the same degree of accuracy as a
conventional technique, and a CPP type magnetic sensing element having
high reproduced output can be manufactured.
Eine gegenwärtige Begrenzungsschicht einschließlich eine Mischung eines leitenden Teils und des isolierenden Teils wird auf der Seite (obere Seite) einer freien magnetischen Schicht zur Verfügung gestellt, die ein abfragenstrom erreicht. Dieses kann den wirkungsvollen Elementbereich beim Beibehalten des großen optischen Elementbereichs verringern. Folglich kann ein magnetisches abfragenelement leicht gebildet werden, indem man eine photolithographietechnik verwendet, die den gleichen Grad von Genauigkeit wie eine herkömmliche Technik hat, und eine CPP Art das magnetische abfragenelement, das hohen reproduzierten Ausgang hat, kann hergestellt sein.
