An electronic device and method of construction are disclosed that provide
for a dielectric layer (12) having a low dielectric constant. A conductive
sheath layer (18) is disposed adjacent to the dielectric layer (12). The
conductive sheath layer (18) is operable to electrically divert etchant
particles used in a plasma etch process away from the dielectric layer
(12). In another embodiment of the disclosed invention, a method is
provided which comprises covering an inner layer (40) with a layer of
dielectric material (42). The method also comprises depositing a
conductive sheath layer (48) outwardly from the layer of dielectric
material (42). A photoresist layer (50) is then deposited outwardly from
the conductive sheath layer (48). The photoresist layer (50) is then
patterned resulting in a patterned mask composed of portions of the
photoresist layer (50) disposed outwardly from the conductive sheath layer
(48). Portions of the conductive sheath layer (48) not covered by the
patterned mask are etched using a plasma etch process selective to the
conductive sheath layer (48) relative to the photoresist layer (50).
Portions of the dielectric layer (42) not covered by the patterned mask
are also etched using a plasma etch process selective to the dielectric
layer (42) relative to the photoresist layer (50). The photoresist layer
(50) is then removed from the conductive sheath layer (48), the conductive
sheath layer (48) providing mechanical and electrical shielding for the
dielectric layer (42).
Um dispositivo eletrônico e um método da construção são divulgados que fornece para uma camada dieléctrica (12) que tem uma constante dieléctrica baixa. Uma camada condutora da bainha (18) é disposta junto à camada dieléctrica (12). A camada condutora da bainha (18) é operável desviar eletricamente as partículas etchant usadas em um processo gravura em àgua forte do plasma afastado da camada dieléctrica (12). Em uma outra incorporação da invenção divulgada, um método é fornecido que compreenda a coberta de uma camada interna (40) com uma camada do material dieléctrico (42). O método compreende também depositar uma camada condutora da bainha (48) externa da camada do material dieléctrico (42). Uma camada de photoresist (50) é depositada então externa da camada condutora da bainha (48). A camada de photoresist (50) é modelada então tendo por resultado uma máscara modelada composta das parcelas da camada de photoresist (50) disposta externa da camada condutora da bainha (48). As parcelas da camada condutora da bainha (48) não coberta pela máscara modelada são gravadas usando um processo gravura em àgua forte do plasma seletivo à camada condutora da bainha (48) relativo à camada de photoresist (50). As parcelas da camada dieléctrica (42) não coberta pela máscara modelada são gravadas também usando um processo gravura em àgua forte do plasma seletivo à camada dieléctrica (42) relativo à camada de photoresist (50). A camada de photoresist (50) é removida então da camada condutora da bainha (48), da camada condutora da bainha (48) que fornece proteger mecânico e elétrico para a camada dieléctrica (42).
