Embodiments of the present invention provide a magnetic memory. In one
embodiment, the magnetic memory comprises a memory cell configured to
provide a resistive state, and a reference cell. The reference cell is
substantially larger than the memory cell and configured to provide a
reference resistance for determining the resistive state of the memory
cell.
Les modes de réalisation de la présente invention fournissent une mémoire magnétique. Dans une incorporation, la mémoire magnétique comporte une cellule de mémoire configurée pour fournir un état résistif, et une cellule de référence. La cellule de référence est sensiblement plus grande que la cellule de mémoire et configurée pour fournir une résistance de référence pour déterminer l'état résistif de la cellule de mémoire.
