Write and erase protection in a synchronous memory

   
   

A synchronous flash memory includes an array of non-volatile memory cells, and has a package configuration that is compatible with an SDRAM. The memory device includes a memory array, a programmable register circuitry to store protection data, and a voltage detector to determine if a memory power supply voltage drops below a predetermined level. Control circuitry is provided to program the register circuitry and prevent erase or write operations to the memory array in response to the voltage detector. In operation, the memory monitors a power supply voltage coupled to the memory, and prohibits write or erase operations from being performed if the supply voltage drops below a predetermined value.

Одновременная внезапная память вклюает блок слаболетучей ячейкы памяти, и имеет конфигурацию пакета которая совместима с SDRAM. Приспособление памяти вклюает блок памяти, programmable сети регистра для того чтобы хранить данные по предохранения, и детектор напряжения тока для того чтобы обусловить если напряжение тока источника питания памяти падает под предопределенным уровнем. Обеспечены, что программируют сети управления сети регистра и предотвратить сотрите или напишите деятельности к блоку памяти in response to детектор напряжения тока. In operation, память контролирует напряжение тока источника питания соединенное к памяти, и запрещает пишет или стирает деятельности от быть выполненным если блка напряжения падает под предопределенным значением.

 
Web www.patentalert.com

< Multiple-thread processor with single-thread interface shared among threads

< Communication apparatus, image processing apparatus, communication system, communication method, image processing method and storage medium

> Method and apparatus for interrupt redirection for arm processors

> Method and system for compiling circuit designs

~ 00105