Chemically amplified resist is produced on the basis of vinyl polymer
having 3-oxo-4-oxabicyclo[3.2.1]octane-2-yl group expressed by general
formula (1)
##STR1##
where each of L.sup.1, L.sup.2, L.sup.3, L.sup.4, L.sup.5 and L.sup.6 is
selected from the group consisting of hydrogen atom and alkyl groups
having the carbon number from 1 to 8, and the hydrogen atom and/or the
alkyl group at L.sup.5 and L.sup.6 are replaced with alkylene groups
having the carbon number from 1 to 10 and bonded to each other for forming
a ring so that the resist exhibits high transparency to light equal to or
less than 220 nm wavelength, large resistance against dry etching and good
adhesion to substrates.
Χημικά ενισχυμένος αντισταθείτε παράγεται βάσει του βινυλίου πολυμερούς σώματος που έχει την ομάδα 3-οξο-4-οξαψηθυθλο[3.2.1]οθτανε-2 εκφρασμένη από το γενικό τύπο (1) ## STR1 ## όπου κάθε ένα από L.sup.1, L.sup.2, L.sup.3, L.sup.4, L.sup.5 και L.sup.6 επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από το άτομο υδρογόνου και τις αλκυλικές ομάδες που έχουν τον αριθμό άνθρακα από 1 έως 8, και το άτομο υδρογόνου ή/και η αλκυλική ομάδα σε L.sup.5 και L.sup.6 αντικαθίστανται με alkylene τις ομάδες που έχουν τον αριθμό άνθρακα από 1 έως 10 και συνδέονται το ένα με το άλλο για τη διαμόρφωση ενός δαχτυλιδιού έτσι ώστε αντισταθείτε στην υψηλή διαφάνεια εκθεμάτων στο φως ίσο με ή λιγότερο από το μήκος κύματος 220 NM, τη μεγάλη αντίσταση ενάντια στην ξηρά χαρακτική και την καλή προσκόλληση στα υποστρώματα π.4, Λ.σuπ.5 ανδ Λ.σuπ.6 ης σελεθτεδ φρομ τχε γροuπ θονσηστηνγ οφ χυδρογεν ατομ ανδ αλκυλ γροuπς χαβηνγ τχε θαρψον νuμψερ φρομ 1 το 8, ανδ τχε χυδρογεν ατομ ανδ/ορ τχε αλκυλ γροuπ ατ Λ.σuπ.5 ανδ Λ.σuπ.6 αρε ρεπλαθεδ ωητχ αλκυλενε γροuπς χαβηνγ τχε θαρψον νuμψερ φρομ 1 το 10 ανδ ψονδεδ το εαθχ οτχερ φορ φορμηνγ α ρηνγ σο τχατ τχε ρεσηστ εξχηψητς χηγχ τρανσπαρενθυ το ληγχτ εquαλ το ορ λεσς τχαν 220 νμ ωαβελενγτχ, λαργε ρεσηστανθε αγαηνστ δρυ ετθχηνγ ανδ γοοδ αδχεσηον το σuψστρατες.
