A thermal infrared detector has a substrate having a readout circuit and a
plurality of pixels patterned on the substrate at a pitch p, which is in
the range of from 15 to 50 micrometers. Each of the pixels has a
photo-sensitive bolometer thin film area that is spaced from the
substrate, and supported by two beams which contain interconnections
between the photosensitive area and the readout circuit. The length of
each of the beams is determined by the patterning accuracy of a stepper
used to produce the thermal infrared detector, based on a beam length
index calculated by dividing the length of each beam by one-quarter of the
peripheral length of the pixel. The beam length index may be approximated
by an expression using the pixel pitch, the thermal conductivity of the
interconnection material, etc. as parameters in an equation representing
temperature resolution.
Een thermische infrarode detector heeft een substraat dat een lezenkring en een meerderheid van pixel heeft die op het substraat bij een hoogte p worden gevormd, die in de waaier van van 15 tot 50 micrometers is. Elk van de pixel heeft een fotogevoelig gebied van de bolometer dunne film dat van het substraat uit elkaar wordt geplaatst, en gesteund door twee stralen die interconnecties tussen het fotogevoelige gebied en de lezenkring bevatten. De lengte van elk van de stralen wordt door de het vormen nauwkeurigheid van stepper bepaald die wordt gebruikt om de thermische infrarode detector te produceren, die op een index wordt gebaseerd van de straallengte die door de lengte van elke straal door one-quarter van de randlengte van het pixel wordt berekend te verdelen. De index van de straallengte kan door een uitdrukking gebruikend de pixelhoogte, het warmtegeleidingsvermogen van het interconnectiemateriaal, enz. als parameters in een vergelijking worden benaderd die temperatuurresolutie vertegenwoordigt.
