Disclosed is a nitride based III-V group compound semiconductor laser
device of ridge waveguide type with an oscillation wavelength of about 410
nm which has a low driving voltage, a high half-width value .theta..sub.//
of a FFP in a direction horizontal to a hetero interface, and a high kink
level (i.e., good light output-injected current characteristics over the
high-output range). This laser device is similar in structure to the
related-art semiconductor laser device except for the current constricting
layer formed in a ridge. It has a stacked film composed of an SiO.sub.2
film (600 .ANG. thick) and an amorphous Si film (300 .ANG. thick) which
are formed on the SiO.sub.2 film by vapor deposition. The stacked film
covers both sides of the ridge and a p-AlGaN cladding layer extending
sideward from the base of the ridge. The SiO.sub.2 film and Si film have
respective thicknesses which are established such that the absorption
coefficient of fundamental horizontal lateral mode is larger than the
absorption coefficient of primary horizontal lateral mode. This structure
results in a higher kink level, while suppressing the high-order
horizontal lateral mode, a larger effective refractive index difference
.DELTA.n, and a larger value of .theta..sub.// without the necessity for
reducing the ridge width.
Révélé est un dispositif de laser basé par nitrure de semi-conducteur composé de groupe d'III-V de type de guide d'ondes d'arête avec une longueur d'onde d'oscillation environ de 410 nm qui a une basse tension de conduite, un theta..sub.// à mi-largeur élevé de valeur d'un FFP dans une direction horizontale à une interface de hetero, et un niveau élevé de repli (c.-à-d., caractéristiques courantes rendement-injectées bonne par lumière sur la gamme à haute production). Ce dispositif de laser est semblable en structure au dispositif de laser de semi-conducteur d'connexe-art excepté la couche resserrante courante formée dans une arête. Il a un film empilé composé de film SiO.sub.2 (ANG. 600 profondément) et un film amorphe de silicium (ANG. 300 profondément) qui sont formés sur le film SiO.sub.2 par le dépôt de vapeur. Le film empilé couvre les deux côtés de l'arête et une couche de revêtement de p-AlGaN se prolongeant de côté de la base de l'arête. Le film SiO.sub.2 et le film de silicium ont des épaisseurs respectives qui sont établies tels que le coefficient d'absorption du mode latéral horizontal fondamental est plus grand que le coefficient d'absorption du mode latéral horizontal primaire. Cette structure a comme conséquence un niveau plus élevé de repli, tout en supprimant le mode latéral horizontal d'ordre élevé, un plus grand DELTA.n Efficace de différence d'indice de réfraction, et une plus grande valeur de theta..sub.// sans nécessité pour réduire la largeur d'arête.
