A nitride semiconductor laser device has an improved stability of the
lateral mode under high output power and a longer lifetime, so that the
device can be applied to write and read light sources for recording media
with high capacity. The nitride semiconductor laser device includes an
active layer, a p-side cladding layer, and a p-side contact layer
laminated in turn. The device further includes a waveguide region of a
stripe structure formed by etching from the p-side contact layer. The
stripe width provided by etching is within the stripe range of 1 to 3
.mu.m and the etching depth is below the thickness of the p-side cladding
layer of 0.1 .mu.m and above the active layer. Particularly, when a p-side
optical waveguide layer includes a projection part of the stripe structure
and a p-type nitride semiconductor layer on the projection part and the
projection part of the p-side optical waveguide layer has a thickness of
not more than 1 .mu.m, an aspect ratio is improved in far field image.
Moreover, the thickness of the p-side optical waveguide layer is greater
than that of an n-side optical waveguide layer.
Um dispositivo do laser do semicondutor do nitride tem uma estabilidade melhorada da modalidade lateral sob o poder elevado da saída e uma vida mais longa, de modo que o dispositivo possa ser aplicado para escrever e ler fontes claras para meios da gravação com capacidade elevada. O dispositivo do laser do semicondutor do nitride inclui uma camada ativa, uma camada do cladding do p-lado, e uma camada do contato do p-lado laminada por sua vez. O dispositivo mais adicional inclui uma região do waveguide de uma estrutura do listra dada forma gravando da camada do contato do p-lado. A largura do listra fornecida gravura a água-forte está dentro da escala do listra do mu.m 1 a 3 e a profundidade gravura a água-forte está abaixo da espessura da camada do cladding do p-lado de 0.1 mu.m e acima da camada ativa. Particularmente, quando uma camada ótica do waveguide do p-lado inclui uma peça da projeção da estrutura do listra e um p-tipo camada do semicondutor do nitride na peça da projeção e na peça da projeção da camada ótica do waveguide do p-lado tem uma espessura de não mais de 1 mu.m, uma relação de aspecto é melhorada na imagem distante do campo. Além disso, a espessura da camada ótica do waveguide do p-lado é mais grande do que aquela de uma camada ótica do waveguide do n-lado.
