A method of fabricating a semiconductor structure including the steps of:
providing a silicon substrate having a surface;
forming by atomic layer deposition a monocrystalline seed layer on the
surface of the silicon substrate; and
forming by atomic layer deposition one or more layers of a monocrystalline
high dielectric constant oxide on the seed layer,
where providing a substrate includes providing a substrate having formed
thereon a silicon oxide, and wherein forming by atomic layer deposition a
seed layer further includes depositing a layer of a metal oxide onto a
surface of the silicon oxide, flushing the layer of metal oxide with an
inert gas, and reacting the metal oxide and the silicon oxide to form a
monocrystalline silicate.
Un metodo di fabbricare una struttura a semiconduttore compreso i punti di: fornendo un substrato del silicone che ha una superficie; formando tramite il deposito atomico di strato un lo strato monocristallino del seme sulla superficie del substrato del silicone; e formando tramite il deposito atomico di strato uno o più strati di alto ossido monocristallino di costante dielettrico sullo strato del seme, dove fornire un substrato include fornire un substrato che forma su ciò un ossido del silicone ed in cui formare tramite il deposito atomico di strato un lo strato del seme più ulteriormente include depositare uno strato di un ossido di metallo su una superficie dell'ossido del silicone, irriganti lo strato dell'ossido di metallo con un gas inerte e reagenti l'ossido di metallo e l'ossido del silicone per formare un silicato monocristallino.
