A method for fabricating a nitride semiconductor laser device having
crystal layers each made of a group III nitride semiconductor (Al.sub.x
Ga.sub.1-x).sub.1-Y In.sub.y N (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1)
layered in order on a ground layer (Al.sub.x' Ga.sub.1-x').sub.1-y'
In.sub.y' N (0.ltoreq.x'.ltoreq.1, 0.ltoreq.y'.ltoreq.1). The method
including a step of forming a plurality of crystal layers each made of
group III nitride semiconductor on a ground layer formed on a substrate
such as sapphire; a step of applying a light beam from the substrate side
toward the interface between the substrate and the ground layer thereby
forming the decomposed-matter area of a nitride semiconductor; a step of
separating the ground layer carrying the crystal layers from the substrate
along the decomposed-matter area; and a step of cleaving the ground layer
thereby forming a cleavage plane of the crystal layers.
Une méthode pour fabriquer un dispositif de laser de semi-conducteur de nitrure ayant le cristal pose chacune a fait d'un semi-conducteur de nitrure du groupe III (Al.sub.x Ga.sub.1-x).sub.1-Y In.sub.y N (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1) a posé dans l'ordre sur une couche au sol (Al.sub.x 'Ga.sub.1-x').sub.1-y 'In.sub.y 'N (0.ltoreq.x'.ltoreq.1, 0.ltoreq.y'.ltoreq.1). La méthode comprenant une étape de former une pluralité de cristal pose chacune a fait du semi-conducteur de nitrure du groupe III sur une couche au sol formée sur un substrat tel que le saphir ; une étape d'appliquer un faisceau lumineux à partir du côté de substrat vers l'interface entre le substrat et la couche au sol formant de ce fait le secteur de décomposer-matière d'un semi-conducteur de nitrure ; une étape de séparer la couche au sol portant le cristal pose du substrat le long du secteur de décomposer-matière ; et une étape de fendre la couche au sol formant de ce fait un plan de fendage des couches en cristal.
