A semiconductor device comprises a substantially flat interconnection
substrate having an interconnection pattern formed on a surface thereof. A
semiconductor element is mounted on the substantially flat interconnection
substrate so that an electrode terminal of the semiconductor element is
electrically connected to the interconnection pattern. A heat radiation
plate is formed in a form of a sheet having a concave portion so as to
cover the semiconductor element and is bonded on the surface of the
substantially flat interconnection substrate. An external connection
terminal is formed on the other surface of the substantially flat
interconnection substrate so as to penetrate through the substantially
flat interconnection substrate and be electrically connected to the
interconnection pattern. The heat radiation plate is formed of a
heat-resistant resin containing carbon fibers.
Un dispositivo a semiconduttore contiene un substrato sostanzialmente piano di interconnessione che ha un modello di interconnessione formato su una superficie di ciò. Un elemento a semiconduttore è montato sul substrato sostanzialmente piano di interconnessione in moda da collegare elettricamente un terminale dell'elettrodo dell'elemento a semiconduttore al modello di interconnessione. Una piastra di radiazione di calore è formata in una forma di un foglio che ha una parte concava in modo da riguardare l'elemento a semiconduttore ed è legata sulla superficie del substrato sostanzialmente piano di interconnessione. Un terminale del collegamento esterno è formato sull'altra superficie del substrato sostanzialmente piano di interconnessione in modo da penetrare attraverso il substrato sostanzialmente piano di interconnessione ed essere collegato elettricamente al modello di interconnessione. La piastra di radiazione di calore è formata di una resina termoresistente che contiene le fibre del carbonio.
