A semi-conductor memory device having a wide write data bandwidth is
provided with high speed read-write circuitry having data amplifiers that
are activated to accelerate amplification of write data signals being
driven by write data drivers onto data lines of the cell array of the
device during memory write cycles, as well as activated to amplify read
data signals on the data lines during memory read cycles. Moreover, the
data amplifiers are activatedin a self-timed manner. In one embodiment,
the device is further provided with a read data buffer that is constituted
with a regenerative latch and an input stage, and a write data buffer
having multiple entries. The input stage of the read data buffer isolates
or couples the regenerative latch to the data lines depending on whether
the data lines are in a pre-charged state or not. In one embodiment, the
data amplifiers and the write drivers are further arranged to enable write
data in the write buffer to be merged with the masked read data from the
memory array when a read transaction hits the write buffer.
Un dispositivo de memoria de semiconductor que tiene un ancho escribe anchura de banda de datos se proporciona el trazado de circuito de lectura/grabación de alta velocidad que tiene amplificadores de los datos de los cuales se activen aceleren la amplificación escriban las señales de los datos que son conducidas cerca escriban conductores de los datos sobre las líneas de datos del arsenal de célula del dispositivo durante memoria escriban ciclos, tan bien como activado para amplificar señales de los datos leídos en las líneas de datos durante ciclos leídos memoria. Por otra parte, los amplificadores de los datos son activatedin a la manera uno mismo-medida el tiempo. En una encarnación, el dispositivo se proporciona más a fondo un almacenador intermediario de los datos leídos que se constituya con un cierre regenerador y una etapa de la entrada, y los datos del escribir protegen tener entradas múltiples. La etapa de la entrada del almacenador intermediario de los datos leídos aísla o junta el cierre regenerador a las líneas de datos dependiendo de si las líneas de datos están en un estado precargado o no. En una encarnación, los amplificadores de los datos y los conductores del escribir se arreglan más a fondo para permitir escriben datos en el almacenador intermediario del escribir que se combinará con los datos leídos enmascarados del arsenal de la memoria cuando una transacción leída golpea el almacenador intermediario del escribir.
