Polarization modulator devices can be formed to take advantage of
multi-layered semiconductor structures. High quality epitaxial layers of
monocrystalline materials can be grown overlying monocrystalline
substrates such as large silicon wafers by forming a compliant substrate
for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer
comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon
wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous
interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality
monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer
layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the
overlying monocrystalline material layer. Any lattice mismatch between the
accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken
care of by the amorphous interface layer.
I dispositivi del modulatore di polarizzazione possono essere formati per approfittare delle strutture multi-layered a semiconduttore. Gli strati epitassiali di alta qualità dei materiali monocristallini possono essere substrati monocristallini sovrastanti sviluppati quali le grandi lastre di silicio formando un substrato compliant per la crescita degli strati monocristallini. Uno strato servizievole dell'amplificatore contiene uno strato l'ossido monocristallino spaziato oltre ad una lastra di silicio da uno strato amorfo dell'interfaccia dell'ossido del silicone. Lo strato amorfo dell'interfaccia dissipa lo sforzo e consente lo sviluppo di uno strato servizievole della soluzione tampone dell'ossido monocristallino di alta qualità. Lo strato servizievole dell'amplificatore è grata abbinata sia alla lastra di silicio di fondo che allo strato materiale monocristallino sovrastante. Tutto il disadattamento della grata fra lo strato servizievole dell'amplificatore ed il substrato di fondo del silicone è preso la cura dallo strato amorfo dell'interfaccia.
