Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method

   
   

A method for fabricating an acoustic resonator, for example a Thin Film Bulk Acoustic Resonators (FBAR), on a substrate. A depression is etched and filled with sacrificial material. The FBAR is fabricated on the substrate spanning the depression, the FBAR having an etch hole. The depression may include etch channels in which case the FBAR may include etch holes aligned with the etch channels. A resonator resulting from the application of the technique is suspended in air and includes at least one etch hole and may include etch channels.

Eine Methode für das Fabrizieren eines akustischen Resonators, z.B. ein Dünnfilm-Hauptteil-akustische Resonatore (FBAR), auf einem Substrat. Ein Tiefstand wird mit Opfermaterial geätzt und gefüllt. Das FBAR wird auf dem Substrat fabriziert, das den Tiefstand, das FBAR haben eine Ätzungbohrung überspannt. Der Tiefstand kann Ätzungführungen einschließen, in diesem Fall das FBAR die Ätzungbohrungen einschließen kann, die mit den Ätzungführungen ausgerichtet sind. Ein Resonator, der aus der Anwendung der Technik resultiert, ist in einer Luft verschoben und mindestens eine Ätzungbohrung einschließt und kann Ätzungführungen einschließen.

 
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