The present invention is directed to a method of forming an FeRAM
integrated circuit, which includes forming a sidewall diffusion barrier
prior to etching the bottom electrode diffusion barrier layer. The
sidewall diffusion barrier layer is then etched prior to the bottom
electrode diffusion barrier layer. In patterning an AlOx sidewall
diffusion barrier layer prior to etching the underlying bottom electrode
diffusion barrier layer, the etch chemistry comprises BCl.sub.3 +Ar. The
BCl.sub.3 is effective in etching the AlOx with a good selectivity to the
underlying nitride hard mask on top of the capacitor stack (e.g., TiAlN)
and nitride bottom electrode diffusion barrier (e.g., TiAlON with small
oxygen content) between the neighboring capacitor stacks. The Ar may be
added to the etch chemistry because the resulting surface (of a top
portion of the hard mask and the bottom electrode diffusion barrier) is
smoother.
La actual invención se dirige a un método de formar un circuito integrado de FeRAM, que incluye la formación de una barrera de difusión del flanco antes de grabar al agua fuerte la capa de barrera de difusión del electrodo de tierra. La capa de barrera de difusión del flanco entonces se graba al agua fuerte antes de la capa de barrera de difusión del electrodo de tierra. En modelar una capa de barrera de difusión del flanco de AlOx antes de grabar al agua fuerte la capa de barrera subyacente de difusión del electrodo de tierra, la química del grabado de pistas abarca BCl.sub.3 +Ar. El BCl.sub.3 es eficaz en grabar al agua fuerte el AlOx con una buena selectividad a la máscara dura del nitruro subyacente encima del apilado del condensador (e.g., TiAlN) y de la barrera de difusión del electrodo de tierra del nitruro (e.g., TiAlON con el contenido en oxígeno pequeño) entre los apilados vecinos del condensador. El Ar se puede agregar a la química del grabado de pistas porque la superficie que resulta (de una porción superior de la máscara dura y de la barrera de difusión del electrodo de tierra) es más lisa.
