The invention includes a switchable circuit device. The device comprises a
first conductive layer and a porous silicon matrix over the first
conductive layer. A material is dispersed within pores of the porous
silicon matrix, and the material has two stable states. A second
conductive layer is formed over the porous silicon matrix. A current flow
between the first and second conductive layers is influenced by which of
the stable states the material is in.
La invención incluye un dispositivo cambiable del circuito. El dispositivo abarca una primera capa conductora y un excedente poroso de la matriz del silicio la primera capa conductora. Un material se dispersa dentro de poros de la matriz porosa del silicio, y el material tiene dos estados estables. Una segunda capa conductora se forma sobre la matriz porosa del silicio. Un flujo actual entre las primeras y segundas capas conductoras se influencia por en las cuales de los estados del establo el material está.
