Device for photodetection with a vertical metal semiconductor
microresonator and procedure for the manufacture of this device.
According to the invention, in order to detect an incident light, at least
one element is formed over an insulating layer (2) that does not absorb
this light, including a semiconductor material (6) and at least two
electrodes (4) holding the element, with the element and electrode unit
being suitable for absorbing this light and designed to incease the light
intensity with respect to the incident light, in particular by making a
surface plasmon mode resonate between the unit interfaces with the layer
and the propagation medium for the incident light, with the resonance of
this mode taking place in teh interface between the element and atleast
one of the electrodes, with this mode being excited by the component of
the magnetic field of the light, parallel to the electrodes. Application
for optical telecommunications.
Приспособление для photodetection с вертикальным microresonator полупроводника металла и процедура для изготовления этого приспособления. Согласно вымыслу, обнаружить свет случая, по крайней мере один элемент сформирован над изолируя слоем (2) который не поглощает этот свет, включая материал полупроводника (6) и по крайней мере 2 электрода (4) держа природная стихия, при блок природная стихия и электрода целесообразны для поглощения этого света и после того как я конструированы к incease интенсивность света по отношению к свету случая, в частности путем делать поверхностный режим плазмона resonate между поверхностями стыка блока с слоем и средством распространения для света случая, с резонансом этого режима принимая место в поверхности стыка teh между природная стихия и atleast одним электродов, с этим режим будучи возбужданной компонентом магнитного поля света, параллельного к электродам. Применение для оптически радиосвязей.
