A system and method of metrology (10) whereby a three dimensional shape
profile is defined (16) for a surface feature on a substrate by applying
(38) a transform function F(x) to an image intensity map I(x,y) obtained
(40) by inspecting the substrate with a scanning electron microscope (12).
The transform function F(x) is developed (34) by correlating the image
intensity map of a first wafer (18) to a height vector (32) obtained by
inspecting the first wafer with a more accurate metrology tool, for
example a stylus nanoprofilometer (14). A simple ratio-based transform may
be used to develop F(x). An asymmetric multiple parameter characterization
of the three dimensional shape profile may be developed (74) by plotting
critical space and width dimensions (S.sub.L, S.sub.R, W.sub.1, W.sub.R)
from a vertical axis (C--C) as a function of height of the feature.
Ein System und eine Methode von Metrologie (10), hingegen ein dreidimensionales Formprofil (16) für eine Oberflächeneigenschaft auf einem Substrat definiert wird, indem man (38) eine umwandelnfunktion F(x) an einem Bildintensität Diagramm I(x anwendet, y) erreicht (40) durch das Kontrollieren des Substrates mit einem Rasterelektronenmikroskop (12). Die umwandelnfunktion F(x) wird (34) entwickelt, indem man das Bildintensität Diagramm einer ersten Oblate (18) zu einem Höhe Vektor aufeinander bezieht (32), der indem man die erste Oblate mit einem genaueren Metrologiewerkzeug, z.B. ein Schreibkopf nanoprofilometer (14) erhalten wird, kontrolliert. Ein einfaches Verhältnis-gegründet wandeln kann verwendet werden, F(x) zu entwickeln um. Eine asymetrische mehrfache Parameterkennzeichnung des dreidimensionalen Formprofils kann (74), indem man kritische Raum- und Breitenmaße (S.sub.L, S.sub.R, W.sub.1, W.sub.R) von einer vertikalen Mittellinie (cm) als Funktion der Höhe der Eigenschaft entwickelt werden plottet.
