There are provided steps of forming sequentially a first conductive film, a
dielectric film, and a second conductive film, that constitute a
capacitor, on an insulating film, forming an upper electrode of the
capacitor by etching the second conductive film while using a first resist
pattern as a mask, removing the first resist pattern, forming second
resist patterns, that have a width equal to or smaller than a pattern
width of the upper electrode of the capacitor, on the upper electrode of
the capacitor, and etching at least a part of the dielectric film and the
first conductive film by using the second resist patterns as a mask, while
exposing an upper surface of the upper electrode of the capacitor close to
side portions by retreating side portions of the second resist patterns.
Accordingly, a method of manufacturing a semiconductor device having a
capacitor, that is capable of reducing a difference between a width of the
upper electrode and a width of the lower electrode constituting the
capacitor rather than the prior art, can be provided.
Hay pasos proporcionados de formar secuencialmente una primera película conductora, una película dieléctrica, y una segunda película conductora, que constituye un condensador, en una película aislador, formando un electrodo superior del condensador grabando al agua fuerte la segunda película conductora mientras que usan una primera resiste el patrón como una máscara, quitando la primera resiste el patrón, formando en segundo lugar resista los patrones, a los cuales tenga una anchura igual o más pequeña que una anchura del patrón del electrodo superior del condensador, en el electrodo superior del condensador, y la aguafuerte por lo menos una parte de la película dieléctrica y de la primera película conductora de usar el segundo resisten patrones como máscara, mientras que exponiendo una superficie superior del electrodo superior del condensador cerca de porciones laterales retirando las porciones laterales del segundo resista los patrones. Por consiguiente, un método de fabricar un dispositivo de semiconductor que tiene un condensador, de que es capaz de reducir una diferencia entre una anchura del electrodo superior y una anchura del electrodo más bajo que constituye el condensador más bien que el arte anterior, pueden ser proporcionados.
