A ferroelectric memory and method for fabricating the same includes a
plurality of first gate electrodes and second gate electrodes formed on an
active region of a substrate electrically separated form each other, a
plurality of first electrodes of first ferroelectric capacitors each
connected to the substrate at one side of the first gate electrode, and a
plurality of first electrodes of the second ferroelectric capacitors each
connected to the substrate at one side of the second gate electrode.
Ferroelectric layers respectively formed on the first electrodes, and
second electrodes are formed on the ferroelectric layers. A first metal
line electrically couples the plurality of first gate electrodes, and a
second metal line electrically couples the plurality of second gate
electrodes. The ferroelectric memory has a simplified fabrication process
and an increased area of the capacitor that is favorable for high density
device packing. The first and second metal lines can be the second
electrodes of the ferroelectric capacitors.
Una memoria e un metodo ferroelectric per fabbricare lo stesso include una pluralità di primi elettrodi di cancello e di secondi elettrodi di cancello formati su una regione attiva di una forma elettricamente separata del substrato, una pluralità di primi elettrodi dei primi condensatori ferroelectric ciascuno collegata al substrato su un lato del primo elettrodo di cancello e una pluralità di primi elettrodi dei secondi condensatori ferroelectric ciascuno collegata al substrato su un lato del secondo elettrodo di cancello. Gli strati di Ferroelectric formati rispettivamente sui primi elettrodi ed i secondi elettrodi sono formati sugli strati ferroelectric. Una prima linea del metallo coppia elettricamente la pluralità di primi elettrodi di cancello e una seconda linea del metallo coppia elettricamente la pluralità di secondi elettrodi di cancello. La memoria ferroelectric ha un processo semplificato di montaggio e una zona aumentata del condensatore che è favorevole per l'imballaggio ad alta densità del dispositivo. Le prime e seconde linee del metallo possono essere i secondi elettrodi dei condensatori ferroelectric.
