A wafer having a plurality of areas is subjected to multiple exposures or a
stitching exposure with a plurality of mask patterns being interchanged. A
plurality of wafers are sequentially exposed to the plurality of mask
patterns, with one wafer being replaced with a next wafer. When the one
wafer is replaced with the next wafer, the next wafer is exposed to the
mask pattern last used, prior to the replacement. When one mask pattern is
interchanged with a next mask pattern, an area of the one wafer, last
exposed to the one mask pattern, is first exposed to the next mask
pattern.
Eine Oblate, die eine Mehrzahl von Bereichen hat, wird mehrfachen Belichtungen oder einer nähenden Belichtung mit einer Mehrzahl der Maskenvorlagen unterworfen, die ausgetauscht werden. Eine Mehrzahl der Oblaten werden der Reihe nach der Mehrzahl der Maskenvorlagen ausgesetzt, wenn eine Oblate mit einer folgenden Oblate ersetzt ist. Wenn die eine Oblate mit der folgenden Oblate ersetzt wird, wird die folgende Oblate der zuletzt benutzten Maskenvorlage, vor dem Wiedereinbau ausgesetzt. Wenn eine Maskenvorlage mit einer folgenden Maskenvorlage ausgetauscht wird, wird ein Bereich der einer Oblate, das Letzte, das der einer Maskenvorlage ausgesetzt wird, zuerst der folgenden Maskenvorlage ausgesetzt.
