A magnetic memory includes: a magnetoresistance effect element having a
magnetic recording layer; a first wiring extending in a first direction on
or below the magnetoresistance effect element; a covering layer provided
at least both sides of the first wiring, the covering layer being made of
magnetic material, and the covering layer having a uniaxial anisotropy in
the first direction along which a magnetization of the covering layer
occurs easily; and a writing circuit configured to pass a current through
the first wiring in order to record an information in the magnetic
recording layer by a magnetic field generated by the current.
Μια μαγνητική μνήμη περιλαμβάνει: ένα magnetoresistance στοιχείο επίδρασης που έχει ένα μαγνητικό στρώμα καταγραφής πρώτο να επεκταθεί καλωδίωσης σε μια πρώτη κατεύθυνση σε ή κάτω από το magnetoresistance στοιχείο επίδρασης ένα καλύπτοντας στρώμα παρείχε τουλάχιστον και τις δύο πλευρές της πρώτης καλωδίωσης, το καλύπτοντας στρώμα που αποτελούνται από το μαγνητικό υλικό, και το καλύπτοντας στρώμα που έχει μια uniaxial ανισοτροπία στην πρώτη κατεύθυνση κατά μήκος της οποίας μια μαγνήτιση του καλύπτοντας στρώματος εμφανίζεται εύκολα και ένα κύκλωμα γραψίματος που διαμορφώνεται για να περάσει ένα ρεύμα μέσω της πρώτης καλωδίωσης προκειμένου να καταγραφούν πληροφορίες στο μαγνητικό στρώμα καταγραφής από ένα μαγνητικό πεδίο που παράγεται από το ρεύμα.
