A light emitting diode (100) is disclosed comprising a p-n junction diode
for emitting light; and a transparent casing encapsulating the p-n
junction diode. The transparent casing having an inner portion in contact
with the p-n junction diode, wherein the refractive index of the
transparent casing is higher at the inner portion than an outer portion
thereof. In one embodiment the transparent casing comprises at least a
first and a second transparent layer, with the first transparent layer
encapsulating the p-n junction diode, and the second transparent layer
encapsulating the first transparent layer, wherein the refractive index of
the first transparent layer is higher than the refractive index of the
second transparent layer. In an alternative embodiment the transparent
casing comprises at least one transparent layer, wherein the refractive
index of the transparent layer is higher at an inner portion than an outer
portion thereof.
Eine lichtemittierende Diode (100) wird eine p-n Flächendiode für das Ausstrahlen des Lichtes enthalten freigegeben; und ein transparentes Gehäuse, welches die p-n Flächendiode einkapselt. Das transparente Gehäuse, das einen inneren Teil in Verbindung mit der p-n Flächendiode hat, worin der Brechungsindex des transparenten Gehäuses am inneren Teil als ein äußerer Teil davon höher ist. In einer Verkörperung enthält das transparente Gehäuse mindestens die erste und eine zweite transparente Schicht, wenn die erste transparente Schicht die p-n Flächendiode einkapselt und zweite transparente Schicht, welche die erste transparente Schicht einkapselt, worin der Brechungsindex der ersten transparenten Schicht höher als der Brechungsindex der zweiten transparenten Schicht ist. In einer alternativen Verkörperung enthält das transparente Gehäuse mindestens eine transparente Schicht, worin der Brechungsindex der transparenten Schicht an einem inneren Teil als ein äußerer Teil davon höher ist.
