A method and a system for implementing the method for determining an
exposure gap between a mask and a resist material are provided. A first
gratings is provided on one or more sides of a first structure defined by
one or more first regions of the mask. A second gratings is provided on
one or more sides of a second structure defined be one or more second
regions of the mask. The first and the second structures are exposed to
incident energy and the difference between a location in the first
structure and a location in the second structure is measured. The exposure
zap is extrapolated from the difference. The first and second structures
are provided on the mask. The first gratings and the second gratings is
provided by a mask writing tool.
Une méthode et un système pour appliquer la méthode pour déterminer une exposition lacune entre un masque et un matériel de résistance sont fournis. Les premiers râpages est fournis d'un ou plusieurs côtés d'une première structure définie par une ou plusieurs premières régions du masque. Les deuxièmes râpages est fournis d'un ou plusieurs côtés d'une deuxième structure définie soient une ou plusieurs deuxièmes régions du masque. Les premières et deuxièmes structures sont exposées à l'énergie d'incident et la différence entre un endroit dans la première structure et un endroit dans la deuxième structure est mesurée. L'exposition zap est extrapolée de la différence. Les premières et deuxièmes structures sont fournies sur le masque. Les premiers râpages et les deuxièmes râpages est fournis par un outil d'écriture de masque.
