Semiconductor photodetector

   
   

The present invention provides an optical waveguide structure comprising plural periods of a multi-layered structure which comprises an InGaAs optical absorption layer of a first conductivity type, a pair of first and second InGaAsP cladding layers of the first conductivity type sandwiching the InGaAs optical absorption layer, and a pair of a first InP layer of the first conductivity type and a second InP layer of a second conductivity type, and the first and second InP layers sandwiching the first and second InGaAsP cladding layers.

De onderhavige uitvinding verstrekt een optische golfgeleiderstructuur bestaand meervouds uit periodes van een multi-layered structuur die uit een InGaAs optische absorptielaag van een eerste geleidingsvermogentype bestaat, uit een paar van en eerst uit tweede InGaAsP bekledingslagen van het eerste geleidingsvermogentype dat de InGaAs optische absorptielaag klemt, en uit een paar van een eerste laag InP van het eerste geleidingsvermogentype en een tweede laag InP een tweede geleidingsvermogentype, en eerste en tweede lagen InP die de eerste en tweede InGaAsP bekledingslagen klemmen.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device and process for fabrication thereof

< Hybrid system of static analysis and dynamic simulation for circuit design

> Method and apparatus for preventing and recovering from TLB corruption by soft error

> Method and apparatus for generating typed nodes and links in a hypertext database from formation documents

~ 00108